03.11.2016
International Rectifier представил семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусе SOT-23, предназначенных для различного применения, например, в переключателях аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки, электроприводах,...
→  подробнее
03.11.2016
International Rectifier объявил о расширении семейства силовых HEXFET MOSFET и теперь имеет полноценную линейку транзисторов в корпусе PQFN 5х6мм, выполненных по оптимизированной технологии с применением медных клипс. Первый транзистор, выполненный по этой технологии, был выпущен во второй...
→  подробнее
03.11.2016

ул. Дегтяревская, 62 офисный центр "Ферммаш" оф.46 04119, г. Киев (044) 456 98 69 (044) 456 51 27 (044) 520-04-77, 520-04-78, 520-04-79

→  подробнее
03.11.2016
Компания Texas Instruments расширила серию ультрабюджетных микроконтроллеров MSP430G2xx. К 9-ти представленным ранее микроконтроллерам добавилось еще 16. Основные изменения коснулись объема встроенной памяти – теперь доступно до 8 Кб флэш-памяти и до 256 байт RAM. Также, в новых микроконтроллерах...
→  подробнее
03.11.2016

Прошел семинар "Применение микроконтроллеров Atmel AVR и AVR32 с энергосберегающей технологией PicoPower"

→  подробнее
03.11.2016
Vishay Intertechnology представляет диодный модуль VS-UFB201FA40, совмещающий два независимых ультрабыстрых силовых выпрямительных диода в компактном стандартном корпусе SOT-227 с изолированной теплоотводящей подложкой.
→  подробнее
03.11.2016
Vishay Intertechnology представила новый сдвоенный N-канальный TrenchFET силовой MOSFET-транзистор в ультракомпактном, термически улучшенном корпусе PowerPAK SC-70. Разработанный чтобы сэкономить место на плате и увеличить энергоэффективность изделия, SiA936EDJ имеет самое низкое в отрасли...
→  подробнее
03.11.2016
Компания Vishay Intertechnology выпустила новый 150 В N-канальный TrenchFET® Power MOSFET SiR872ADP, который имеет малое сопротивление открытого канала 18 мОм при напряжении 10 В и 23 мОм при 7.5 В, при сохранении низкого заряда затвора до 22.8 нКл. Обеспечивая более высокую производительность чем...
→  подробнее
03.11.2016
Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с наименьшим сопротивлением открытого канала в своем классе...
→  подробнее
07.09.2016
Компания Vishay Intertechnology представила новые 40 В и 30 В p-канальные Gen III TrenchFET транзисторы SiSS27DN и SiS443DN в компактных корпусах PowerPAK. Оба транзистора имеют крайне низкое сопротивление открытого канала для такого класса приборов, что позволит значительно повысить...
→  подробнее
08.09.2016
Компания Vishay Intertechnology представила новую высоковольтную серию мощных n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким сопротивлением открытого канала. Новая «Е»-серия представлена множеством транзисторов с максимальным рабочим напряжением сток-исток 650 В и широким диапазоном номинальных...
→  подробнее
09.09.2016
Компания Vishay выпустила ряд новых ультрабыстрых диодов и диодов с мягким восстановлением соответствующих автомобильному стандарту качества и характеристик (AEC-Q101). Все диоды сочетают очень быстрое и мягкое восстановление характеристик с низким прямым падением напряжения и низким током утечки....
→  подробнее