Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon,это альтернатива недорогим MOSFET, которве выполнены по планарной технологии.К ихним характеристикам относятся высокий уровень допустимой токовой нагрузки, низкие значения RDS(on), высокая стойкость к перенапряжениям сток-исток, рабочие частоты до 100 кГц.

Благодаря снижению RDS(on) в сравнении с предыдущим поколением транзисторов, появилась возможной замена двух транзисторов в корпусе TO-220 на один в TO-247, что свою очередь благотворно сказывается в отведении тепла и даёт выигрыш в габаритных размерах изделия.Оптимизация внутренних токоведущих проводников помогла сужественно увеличить предельно допустимый выходной ток для данного корпуса. Так, например, для IRF200P222 в TO-247AC максимальный продолжительный ток стока при условиях TC = 25°C и VGS=10 В равен 182 А.

Новые транзисторы семейства StrongIRFET™ обладают повышенной стойкостью к импульсам перенапряжения сток-исток, а также к высоким dU/dt.Применение транзисторов весьма обширно:уселители, ИПБ, питание вентильных и коллекторных двигателей, инверторы для солнечных батарей...

Особенности StrongIRFET на 200-300 В

• снижение RDS(on) (до 30% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов);
• увеличение максимальной токовой нагрузки (до 40% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов);
• диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C;
• стойкость к импульсам перенапряжения сток-исток и высоким dU/dt.