Компания Infineon представила новые двухканальные драйверы MOSFET и IGBT транзисторов нижнего плеча серии 2EDN для применения в составе источников питания высокой мощности. Драйверы сочетают в себе отличную функциональность, простую схемотехнику и низкую стоимость.

Стандартный набор корпусов драйверов серии 2EDN является повыводно совместимым с аналогичными решениями от других производителей.

Технические характеристики драйверов 2EDN7 и 2EDN8:

• выходной импульсный ток до 5.0 A;
• время распространения входного импульса: 17 нс;
• рассогласование выходных сигналов составляет не более 2 нс;
• возможность подключить выходы параллельно между собой для усиления по выходному току;
• низкоомный выход. Внутреннее сопротивление драйвера 0,70 Ом при включении (Rsource) и 0,55 Ом при выключении (Rsink) транзистора;
• управление с помощью стандартной логики;
• защита выходов драйвера от обратных токов с помощью встроенных диодов Шоттки;
• защита входных цепей от обратного напряжения до -10 В;
• возможность организовать гальваническую изоляцию в цепях управления при применении импульсного трансформатора.

Целевые применения:

• корректоры коэффициента мощности (PFC);
• схемы синхронного выпрямления (SSR);
• промышленные источники вторичного электропитания (SMPS);
• преобразователи для солнечной энергетики;
• электроинструменты;
• DC-DC преобразователи широкого профиля.