LMG3410R050Компания Texas instruments выпустила  ИС LMG341XR050 мощного драйвера с выходным транзистором по технологии GAN, который позволяет работать с напряжением до 600в. ИС содержит низковольтный усилительный каскад, мощный оконечный ключ на GAN полевом транзисторе и цепи защиты от перегрузки. GAN транзистор имеет очень малые входную и выходную емкости, что позволяет работать с очень крутыми фронтами импульсов. Другими достоинствами GAN транзистора являются низкое управляющим напряжением и нулевое обратное напряжение для восстановления, что обеспечивает снижение потерь на 80% по сравнению с обычными полевыми транзисторами. Также снижается уровень паразитных эм излучений. Используемая в данной ИС схема обладает рядом преимуществ по сравнение с традиционной каскадной схемой включения GAN полевых транзисторов: обеспечивается скорость нарастания фронтов импульсов до 100в/нс и близкие к нулю допустимые провалы питания. Время реакции на включение режима ограничения тока составляет всего 100нс, что обеспечивает надежную работу цепи защиты при появлении короткого замыкания или при перегреве. Предусмотрена возможность регулировки скорости нарастания фронтов импульсов во внутреннем операционном усилителе. Имеется вывод цифрового сигнала состояния ИС и наличия ошибки в работе. ИС выпускается в корпусах qfn размерами 8 х 8 мм, обладающим низкой индуктивностью выводов.