LMG1020 1Один из "монстров" в сфере производства инновационных аналоговых приборов, компания Texas Instruments сообщила о выходе нового ИС LMG1210. Показав тем самым свой подход к эффективному использованию возможностей полевых транзисторов на нитриде галлия (GaN FET). ИС оптимизирована для совместной работы с мощным полу мостовым каскадом на GaN FET. Как результат получился мощный импульсный усилитель с напряжением питания 200В и током в нагрузке 1.5А, имеющий частоту импульсов до 50МГц, с очень малой задержкой распространения 10нс, со временем переключения с высокого уровня на низкий 3.4нс и возможностью регулировки времени простоя при работе с ШИМ. Новинка работает с любым напряжением от 6В до 18В благодаря встроенному стабилизатору напряжения на 5В. Помимо всего ИС имеет возможность выбора типа ограничительного диода (стабилитрона) для адаптации ИС к различным приложениям. Внутренний ключ отключает стабилитрон, когда разомкнута цепь на землю, предотвращая тем самым перегрузку стабилитрона и минимизируя обратный выброс заряда. Еще одной особенностью транзисторов GaN FET является малая выходная паразитная емкость, не превышающая 1пф, что также снижает потери при коммутации. LMG1210 может работать в двух режимах работы: два ее выхода независимо, либо в режиме ШИМ. В режиме с независимыми выходами каждым из выходов ИС функционирует независимо в соответствии с его назначением. В режиме ШИМ оба комплементарных выходных сигнала формируются из одного входного и пользователь может регулировать время простоя каждого фронта импульса от 0 до 20нс. ИС имеет защиту от недо- и перенапряжения и от перегрева. Диапазон рабочих температур составляет от –40C до 125C. ИС выпускается в корпусе типа WQFN с низкой паразитной индуктивностью выводов.