Vishay SiHH068N60E

Инженеры компании Vishay сообщили о выходе новых 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии E. Новый n-канальный прибор SiHH068N60E в сравнении с предыдущим поколением 600-вольтовых MOSFET транзисторов серии E имеют сниженное на 27% сопротивление открытого канала и на 60% меньший заряд затвора. Устройство имеет самое низкое в отрасли произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала среди приборов аналогичного класса, а это в свою очередь является основным показателем качества для изделий данного типа. Благодаря разработке и началу продаж новых транзисторов SiHH068N60E от компании Vishay Intertechnology, а так же разработкам и подготовке к производству новых 600-вольтовых устройств четвертого поколения семейства E, Vishay устраняет проблему повышения КПД и плотности мощности в первых каскадах архитектуры системы питания – корректорах коэффициента мощности и DC/DC преобразователях с жестким переключением.
Изделие поступает в продажу в корпусах PowerPAK размером 8 мм × 8 мм, а так же соответствуют требованиям директивы RoHS и не содержат галогенов. Конструкция приборов обеспечивает устойчивость к выбросам напряжения в лавинном режиме с фиксированными уровнями отсечки, гарантированными стопроцентной проверкой на соответствие нормам стандарта UIS.