IGBT6 TO 247Одна из лидирующих компаний на рынке полупроводников-Infineon Technologies сообщила о начале производства 1200-вольтовых IGBT нового поколения TRENCHSTOP IGBT6. Дискретные IGBT с обратным диодом, изготавливаемые на 12-дюймовых пластинах транзисторы являются первыми на рынке, что делает их пионерами в данной области. Новейшая технология, по которой был изготовлен IGBT была разработана специально для того, что бы удовлетворить растущие требования к высокой эффективности и высокой плотности мощности. Новое семейство транзисторов оптимизировано для использования в коммутационных и резонансных топологиях на частотах переключения от 15 кГц до 40 кГц. Область их применения весьма обширна, это источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, зарядные устройства для аккумуляторов и накопители энергии. Инновационные 1200-вольтовые TRENCHSTOP IGBT6 представлены двумя сериями: S6 и H6. В приборах серии S6 реализовано наилучшее соотношение низкого напряжения насыщения 1.85 В и низких потерь переключения. Приборы серии H6 оптимизированы для минимальных потерь переключения.
Транзисторы семейства TRENCHSTOP IGBT6 освоены в серийном производстве. В семейство вошли 15- и 40-амперные устройства в корпусах TO-247-3 с диодами, рассчитанными на половинный или полный ток транзистора.