d5eg66Новое семейство дискретных IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 6 разработано в строгом соответствии с особыми требованиями рынка к системам управления электроприводами, такими как увеличенный срок службы, повышенная надежность и высокая эффективность. Именно для таких применений компания Infineon позиционирует новое поколение дискретных 650 В IGBT 6-го поколения TRENCHSTOP™ IGBT6.
Новые транзисторы предназначены для работы в составе частотного привода мощностью до 1 кВт и работают на частоте до 30 кГц.IKA08N65ET6, IKA10N65ET6, IKA15N65ET6 оптимизированы с целью минимизации потерь на переключение, что достигнуто включением в их конструкцию быстродействующего встречно-параллельного диода с чрезвычайно плавной характеристикой и малым временем обратного восстановления. Первыми выпущены IGBT в корпусе TO-220 Full Pack на токи 8 А,10 А и 15 А, в дальнейшем планируется расширить новую линейку такими корпусами, как TO-220, D²PAK, DPAK и SOT-223.Также транзисторы выдерживают работу в режиме КЗ в течении 3 мкс.

power losses igbt 6 573x600

Благодаря более высокому допустимому напряжению коллектор-эмиттер – 650 В и повышенной устойчивости к току короткого замыкания, новые транзисторы TRENCHSTOP™ IGBT6 являются ключевым элементом для построения надежных систем управления.