b5220ccb11111

Компания Infineon представила новое (уже шестое) поколение SiC диодов Шоттки-CoolSiCTM G6. Эти диоды доступны в корпусах TO-220 real2pin, и рассчитаны на максимальное напряжение 650 В. Так же компания сообщает, что до конца года планируется расширить семейство CoolSiCTM G6 и другими корпусами. Значительного снижения прямого падения напряжения на диоде в проводящем состоянии (Vf=1,25 В при TC=25 C) удалось достичь благодаря новой технологии, которая использует в производстве более тонкую полупроводниковую пластину. При этом показатель FOM QCxVf данных диодов остается лучшим в своем классе. Также снижение Vf в новых диодах делает возможным замену, например, 8 А диода поколения G5 можно заменить на 6 А диод поколения G6. Выходит что при экономии на стоимости компонента, получается примерно тот же уровень мощности потерь. Ещё одной важной особенностью новых диодов является оптимизация топологии MPS (Merged PIN Schottky) структуры полупроводниковой ячейки, благодаря чему достигается более высокая стойкость к коротким микросекундным токовым перегрузкам.

vf 600222
Новое поколение SiC диодов шоттки найдут своё применение в источниках бесперебойного питания, инверторах для солнечных батарей и.т.д.