lash winbondКомпания Winbond Electronics представила новые микросхемы NAND Flash HQ (High Quality) плотностью 512 Мбит (64 Мбайт) и 1 Гбит (128 Мбайт) повышенной надежности для хранения кода в критически важных приложениях – W25N512G и W25N01G.
Главной отличительной чертой новых высокопроизводительных NAND Flash микросхем, является увеличенная длительность хранения данных, а так же использование этих микросхем в автономных системах управления.Как правило, это системы требующие высокой плотности 512 Мбит и более низкой цены за бит, чем NOR Flash.Добиться всего этого помогли реализации процессов производства и тестирования на 46-нм, что в свою очередь помогло обеспечить более высокое количество электронов на ячейку и, тем самым, увеличить время хранения данных. Благодаря внесениям изменений в тех процесс стало возможным обеспечить новые NAND Flash HQ надежностью на уровне NOR Flash.
HQ NAND Flash сохраняет данные в течение 25 лет при рабочей температуре 85°C за 100 циклов записи/стирания; и в течение 15 лет при температуре 70°C после 10 000 циклов записи/стирания.
W25N512G и W25N01G являются пин-совместимыми с семейством SPI NOR Flash на 256 Мбит (32 Мбайт) от Winbond, что упрощает процедуру миграции с одного семейства на другое.
В планах Winbond Electronics продолжить масштабирование NAND Flash путем перехода на 32-нм процесс, что повлечет за собой еще более низкую цену за бит.