trenchstopb

Компания Infineon представила транзисторы с чипами TRENCHSTOPTM 2 (для частот коммутации до 20 кГц) и HIGHSPEED 3 (для частот коммутации до 45 кГц), тем самым внеся обновление в семейство транзисторов IGBT на 1200 В в корпусе TO-247PLUS 3pin. Положительной стороной является то, что в внутри корпуса есть возможность разместить больший кристалл как транзистора, так и диода.Это стало возможно благодаря тому, что корпуса TO-247PLUS 3pin и TO-247 идентичны по размерам, а единственное отличие заключается в отсутствии крепежного отверстия. Вследствие отсутствия крепежного отверстия у корпуса TO-247PLUS 3pin, площадь теплоотводящей площадки на задней стороне корпуса увеличена на 35%, что дает снижение Rth(jh) до 20% по сравнению с корпусом TO-247. Помимо этого в новой линейке IGBT для достижения больших плотностей тока было оптимизировано внутреннее соединение токоведущих проводников (увеличено их количество).

infineon IKQ100N60T

Уменьшение габаритов и упрощение трассировки печатной платы достигается благодаря сочетанию большего тока и лучших теплопроводящих свойств, и как следствие можно использовать, например, вместо трех параллельно соединенных IGBT на 25 А один IGBT на 75 А.Подводя итоги, особенностями линейки 1200 В IGBT Infineon в корпусе TO-247PLUS является: высокая надёжность, что продлевает срок службы всего устройства, простое крепление к охладителю, увеличенное до 4,25 мм изоляционное расстояние между выводами К и Э, увеличенный изоляционный промежуток для крепежной клипсы.Могут применяться:в зарядных устройствах, бесперебойных источниках питания (UPS), солнечной энергетике, автомобилестроении, сварочных аппаратах...