RC E TO 247В индукционных плитах чаще всего используются резонансные схемы, которые обеспечивают двунаправленность потока мощности. Обычно в этих применения в качестве силового ключа используется дискретный IGBT транзистор, работающий на частотах от 18 до 40кГц с низкими потерями.
Компания Infineon Technologies представляет новую серию дискретных IGBT транзисторов, полностью отвечающих этим требованиям.
Новое семейство RC-E - это транзисторы с интегрированным в кристалл IGBT обратным диодом для переключения в резонансном режиме. Технология, используемая в семействе RC-E, также обладает минимальными динамическими и статическими потерями. С более низкими значениями характеристик E off, V F, R th and V ce(sat) эти устройства устанавливают новый эталон в соотношении цена-качество
Новые транзисторы предлагают проверенное на дискретных IGBT со встроенным диодом (RC IGBT) качество Infineon, а так же отвечают требованиям схем с мягким переключением и требованиям стандартов EMI по эффективности. RC-E транзисторы обеспечивают характеристики лучшие, чем у предшественников и меньше по цене. Транзисторы семейства RC-E выпускаются в стандартном корпусе TO-247, что позволяет легко установить их в существующие разработки.