Фирма Vishay представила первый компонент в Е-серии 600-В силовых МОП-транзиторов 4-го поколения, предназначенных для схем блоков питания телекоммуникационного и промышленного оборудования. N-канальный транзистор SiHP065N60E обладает на 30 % меньшим сопротивлением открытого состояния и на 44 % меньшим зарядом затвора в сравнении с предыдущими 600-В компонентам серии Е.01feb17 Vishay SiHP065N60E 600V mosfet 553

Максимальное сопротивление транзистора 0,065 Ом при напряжении 10 В и заряде 49 нКл, что в результате даёт показатель 2,8 Ом*нКл, являющийся, по данным Vishay наименьшим серди любых 600-В транзисторов, используемых в схемах преобразования питания.

Показатели выходной ёмкости Сo(er) и Co(tr) составляют, соответственно, 93 и 593 пФ. В совокупности характеристики нового компонента способствуют пониженным коммутационным потерям с экономией питания в схемах коррекции коэффициента мощности и DC/DC-преобразователей с жёстким режимом переключения.

Новый транзистор выпускается в корпусе TO-220AB. Компонент соответствует директиве RoHS, не содержит галогены и испытан на устойчивость к переходным процессам перенапряжения в лавинном режиме.