Корпорация International Rectifier объявила о начале серийного производства 25В МОП-транзисторов в корпусах DirectFET® для применения в синхронных выпрямителях POL конверторов серверов, десктопов и ноутбуков. Объединение новейшей технологии кристалла и технологиии корпусирования DirectFET обеспечило максимальную плотность энергии при высоте корпуса менее 0,7мм и занимаемой площади менее чем у корпуса SO-8. Новые транзисторы IRF6710S2, IRF6795M и IRF6797M характеризуются исключительно низким уровнем сопротивления открытого канала Rds(on), заряда затвора Qg и заряда затвор-сток Qgd для достижения высокого КПД и тепловых характеристик а также обеспечения возможности работы фазы многофазных конверторов на токах не менее 25А.

nr080710Транзистор IRF6710S2 идеально подходит на роль управляющего ключа синхронного выпрямителя благодаря как ультранизкому заряду затвора 8.8нК и заряду Миллера всего 3нК для снижения потерь переключения так и низкому сопротивлению открытого канала (4.6мОм при 10В на затворе и 9мОм при 4.5В). Он выпускается в малогабаритном корпусе типа S1. Транзисторы IRF6795M и IRF6797M с ультранизким Rds(on) (1.1мОм/1.8мОм при 10В/4.5В и 1.4мОм/2.4мОм) имеют минимальные потери проводимости в то время как интегрированные в них диоды Шоттки снижают потери прямой проводимости и обратного восстановления диода. В силу этого они наилучшим образом справляюся с ролью ключа синхронного выпрямления. Эти транзисторы производятся в корпусе типа МХ.

Part Number

BVDSS
(V)

RDS(on)
typ@10V
(mOhms)

RDS(on)
typ@4.5V
(mOhms)

VGS
(V)

Qg
typ
(nC)

Qgd
typ
(nC)

Outline Code
IRF6710S2 25 4.5 9.0 +/-20 8.8 3.0 S1
IRF6795M 25 1.4 2.4 +/-20 35 10 MX
IRF6797M 25 1.1 1.8 +/-20 45 15 MX