GaNpowIR™ - революционная эпитаксиальная галлий-нитридная технология на кремниевой подложке, возвещающая о начале новой эры в преобразовательной технике

Корпорация International Rectifier объявила об успешной разработке новой платформы силовых полупроводниковых приборов, основанной на применении революционной галлий-нитридной технологии. Новая технология обеспечивает по крайней мере десятикратное преимущество по сравнению с лучшими современными кремниевыми технологими по критерию FOM (комплексный критерий качества, учитывающий потери на проводимоссть и переключение, численно оценивается как произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора ), что позволяет существенно повысить эффективность преобразования и снизить энергопотребление во многих приложениях в компьютерной, телекоммуникационной, бытовой технике и автоэлектронике. Новая платформа стала результатом опытно-конструкторских работ компании в течение последних пяти лет по созданию эпитаксиальных технологий нитрид галлия на кремнии.

clip image001

Галлий-нитридная технология компании IR  обеспечивает революционные преимущества в новом поколении преобразовательных устройств и укрепляет позицию компании как эксперта в области создания высокоэффективных полупроводниковых приборов для преобразовательных устройств применяемых в  AC-DC и DC-DC преобразователях, электроприводе, светотехнике, аудиотехнике и автоэлектронике.  Создание компанией на рубеже 80-х годов первой в мире коммерческой технологии HEXFET производства кристаллов силовых МОП-транзисторов с гексагональной формой ячейки, позволяющей производить МОП-транзисторы на широкий диапазон напряжений серийно, в больших объемах и по привлекательным для потребителей ценам, практически создало современный огромный рынок полевых транзисторов и полупроводниковых приборов на их основе. Появление их на рынке способствовало быстрой коммерциализации и развитию многих секторов рынка, в первую очередь рынка источников питания различного назначения. Безусловный коммерческий успех HEXFET явился мощным стимулом как к производству аналогичных приборов другими компаниями, так и к развитию новых технологий – StripFET, TrenchFET, SuperJunction и других, обеспечивающих снижение размеров ячейки и снижение электрических и тепловых потерь. Это позволяло в течение длительного времени удовлетворять ужесточающиеся требования по росту объемной плотности энергии, КПД преобразования, надежности и цене. В настоящее время темпы роста эффективности кремниевого кристалла силового МОП-транзистора замедляются с темпом, свидетельствующим о том, что все резервы этих технологий в значительной мере исчерпаны. Это не позволит уже в ближайшие годы выполнять перспективные требования по снижению объема, потерь мощности и тепловыделению, росту КПД и надежности преобразовательной техники при одновременном росте выходной мощности и других ключевых характеристик, то есть ее показатели фактически начнут деградировать.  Во всех отношениях гораздо более эффективная галлий-нитридная   эпитаксиальная технология на кремниевых 150мм пластинах вместе с технологией производства полупроводниковых приборов, полностью совместимой с экономически эффективными технологиями производства кремниевых кристаллов компании IR, дает потребителю доступ к новому поколению полупроводниковых приборов с выдающимися характеристиками при демократических ценах. Уже в ближайшие годы она позволит в несколько раз уменьшить объемы импульсных источников питания, DC/DC конверторов и других устройствах преобразовательной техники. Образцы нескольких новых полупроводниковых приборов, созданных на базе галлий-нитридной эпитаксиальной технологии на кремниевой подложке будут продемонстрированы уже на выставке Электроника в Мюнхене 11-14 ноября 2008г.