Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ с инновационными корпусами обеспечивают на 80 % большее рассеяние мощности и на 50 % больший ток при стандартной площади монтажа.

 

Компания Texas Instruments Incorporated (TI) объявила о выпуске первого в отрасли семейства мощных полевых МОП-транзисторов (MOSFET) со стандартной площадью монтажа, рассеивающих тепло через верхнюю часть корпуса и предназначенных для сильноточных DC/DC-приложений. Мощные полевые МОП-транзисторы DualCoolTM NexFETTM позволят уменьшить размеры конечного оборудования, при этом через новый полевой МОП-транзистор будет протекать ток, больший на 50 %, а также улучшится теплообмен при стандартной площади монтажа. Подробная информация доступна на сайте www.ti.com/dualcool-prru.

 

Новое семейство из пяти устройств NexFET позволит разработчикам вычислительных и телекоммуникационных систем использовать процессоры с большей силой тока и расширенной памятью, что позволяет сэкономить площадь на монтажной плате. Новые полевые МОП-транзисторы в усовершенствованном корпусе могут применяться в широком ряде конечных приложений, включая персональные компьютеры, серверы, телекоммуникационное и сетевое оборудование, базовые станции и сильноточные промышленные системы.

 

«Наши заказчики нуждаются в сильноточных источниках питания DC/DC с меньшей площадью монтажа для использования в устройствах с большей вычислительной мощностью на широком рынке оборудования для инфраструктуры, - сказал Стив Андерсон (Steve Anderson), старший вице-президент компании TI и руководитель международного подразделения по управлению электропитанием. - Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool NexFET удовлетворяют этим потребностям, поскольку поддерживают ток большей величины при том же размере».

 

Основные характеристики и преимущества мощных полевых МОП-транзисторов DualCool NexFET

 

Полевые МОП-транзисторы для однофазных синхронных понижающих преобразователей 35A в сильноточных DC/DC-приложениях, где в качестве переключателей как на стороне высокого, так и на стороне низкого напряжения используются одиночные полевые МОП-транзисторы.
Улучшенная технология изготовления корпусов уменьшает полное тепловое сопротивление в направлении верхней части корпуса с 10º до 15°C на 1 Вт до 1,2C/Вт, что приводит к увеличению теплорассеивающей способности до 80 %.
Эффективный двусторонний теплоотвод позволяет поддерживать на 50 % больший ток через полевой транзистор, что дает разработчикам возможность гибко использовать более сильноточные процессоры без увеличения размеров конечного оборудования.
Принятый в качестве отраслевого стандарта корпус SON с размерами основания 5 x 6мм упрощает проектирование и снижает стоимость, экономя 30 мм2 площади по сравнению с использованием двух стандартных корпусов.


Наличие и стоимость

В настоящее время устройства DualCool NexFET поставляются большими партиями компанией TI и ее авторизованными дистрибьюторами. Рекомендованная цена продажи для CSD16325Q5C составляет 1,47 доллара при заказе партии 1000 штук (цена может отличаться в странах бывшего СНГ). Также предоставляются образцы и указания по применению.

 

Дополнительная информация о полевых МОП-транзисторах NexFET и других силовых компонентах производства компании TI:

 

Заказ оценочных модулей и образцов NexFET: www.ti.com/mosfet-dcpr

Видеоматериалы по мощным полевым МОП-транзисторам DualCool NexFET: www.ti.com/mosfet-vpr

DC/DC-контроллеры, оптимизированные для технологии NexFET: www.ti.com/tps40303-pr, www.ti.com/tps40304-pr, www.ti.com/tps40305-prwww.ti.com/power-dcprru