International Rectifier представил семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусе SOT-23, предназначенных для различного применения, например, в переключателях аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки, электроприводах, телекоммуникационном оборудовании и других применениях.

Применяя при производстве новых MOSFET самую передовую технологию изготовления кристалла кремния, удалось добиться значительного улучшения значений тока (на 90%) за счет уменьшения Rds(on), и таким образом предложить разработчикам оптимизированное соотношение КПД и цены для применения в конкретном устройстве. Новая линейка транзисторов покрывает полностью диапазон напряжений от -30В до 100Ви имеет различные значения Rds(on) и заряда затвора (Qg), что позволяет инженерам иметь более широкий выбор для разработки компактных, эффективных, в том числе и по цене, решений.

Наименование BVDSS (В) Id макс @ 25C (А)

RDSon @ 10В
(мОм)
Тип. / Макс.

RDSon @ 4.5В
(мОм)
Тип. / Макс.

Qg тип. (нКл)
IRLML9301TRPBF -30 3.6 51/64 82/103  4.8 
IRLML9303TRPBF -30 2.3 135/165 220/270  2.0 
IRLML0030TRPBF 30 5.2 22/27 33/40  2.6 
IRLML2030TRPBF 30 2.7 80/100 123/154  1.0 
IRLML0040TRPBF 40 3.6 44/56 62/78  2.6 
IRLML0060TRPBF 60 2.7 78/92 98/116  2.5 
IRLML2060TRPBF 60 1.2 356/460 475/620  0.4 
IRLML0100TRPBF 100 1.6 178/220 190/235 2.5