SiR872ADP – новый 150V N-канальный TrenchFET транзистор от Vishay SiR872ADP Компания Vishay Intertechnology выпустила новый 150 В N-канальный TrenchFET® Power MOSFET SiR872ADP, который имеет малое сопротивление открытого канала 18 мОм при напряжении 10 В и 23 мОм при 7.5 В, при сохранении низкого заряда затвора до 22.8 нКл. Обеспечивая более высокую производительность чем предыдущие несколько поколений транзисторов, этот MOSFET может потенциально уменьшить общее число компонентов для упрощения конструкции. SiR872ADP позволяет уменьшить потери проводимости и улучшить общую эффективность системы. Основные параметры: максимальное рабочее напряжение (Uси): 150 В; максимальное напряжение затвора: 20 В; сопротивление открытого канала: 18 мОм на 10 В; 23 мОм на 7.5 В; FOM (соотношение суммарного заряда затвора и сопротивления открытого канала): 563 мОм/нКл на 10 В; 524 мОм/нКл на 7.5 В; корпус: PowerPAK SO-8; заряд затвора Qg: до 22.8 нКл; Rg – и UIS-протестированы. SiR872ADP разработан для применения в цепях первичного преобразования и вторичного синхронного выпрямления в DC/DC преобразователях и DC/AC инверторах; для повышающих преобразователей в телекоммуникационных блоках, солнечных инверторах, в драйверах бесщёточных двигателей постоянного тока.