Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с наименьшим сопротивлением открытого канала в своем классе рабочих напряжений. Самый низковольтный представитель из числа новинок – SiA467EDJ – обладает Rds(on) всего 13 мОм при -4.5 В на затворе, что позволяет значительно уменьшить статические потери на проводимость и может потребоваться, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой. SiA467EDJ и SiA437DJ выдерживают максимальный ток до 30 А, что очень актуально при включении нагрузок с большим пусковым током. Миниатюрный корпус новых силовых транзисторов 2х2 мм PowerPAK® SC-70 позволяет в значительной степени экономить место на печатной плате разрабатываемого устройства. Типовая область применения новинок – ключевые схемы «верхнего уровня» для распределения мощности (выключатели нагрузки) в переносных устройствах с автономным (батарейным) питанием. Типовая схема применения Типовая схема применения Наименование VDS (В) VGS (В) RDS(ON) (мОм) @ − 10 В − 4.5 В − 2.5 В − 1.8 В − 1.5 В SiA467EDJ -12 8 13 19.5 40 – SiA437DJ -20 8 14.5 20.5 33.0 65.0 SiA449DJ -30 12 20 24 38 – SiA483DJ -30 20 21 30