650V CoolSiC

Инженеры компании Infineon Technologies сообщили об очередном расширении линейки продуктов на карбиде кремния (SiC) новыми транзисторами на 650В. MOSFET модули 650В CoolSiC обладают очень привлекательными преимуществами по сравнению с другими кремниевыми и карбид-кремниевыми решениями на рынке, такими как эффективность переключения на более высоких частотах и непревзойдённая надежность. Модули могут похвастаться прочными и стабильными встроенными обратными диодами, сохраняющими очень низкий обратный заряд (Q rr), примерно на 80% ниже, чем у MOSFET транзисторов Superjunction CoolMOSTM. Коммутационная устойчивость помогает достичь КПД системы 98%, например, за счёт использования коррекции коэффициента мощности (PFC).
Для облегчения разработки устройств на основе MOSFET транзисторов CoolSiC 650В и обеспечения высокого качества работы, Infineon предлагает одно- и двухканальные гальванически изолированные специально разработанные для CoolSiC микросхемы драйверов семейства EiceDRIVERTM. Это сочетание - CoolSiC ключи и драйвер-помогает снизить стоимость системы, а также стоимость обслуживания и обеспечит сбережение энергии. Новые модули также хорошо работают и с другими микросхемами семейства EiceDRIVER.