infineon technologies silicon carbide coolsic mosfet lrg

Основываясь на большом опыте и собственных разработках Infineon представила революционную технологию CoolSiC MOSFET, которая позволила создавать принципиально новые устройства. CoolSiC™ MOSFET стали первыми продуктами в классе 1200 В для применения в инверторах для солнечной энергетики, зарядке батарей и хранении энергии. CoolSiC™ MOSFET смогли обеспечить потрясающую производительность, надежность и легкость использования разработчиками для создания гибких систем.

Сегодня новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников, и так же оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности. Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. Если брать для сравнения IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ, которые выражаются в самом низком уровне заряда затвора и емкостью среди 1200 В переключателей.

ris2 tipovaya shema primeneniya 600x455

Помимо всего ещё и отсутствием потерь на восстановление внутреннего диода, низкими потерями при переключении, которые не зависят от температуры, и беспороговая характеристика. MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.