Компания Vishay Intertechnology представила новые 40 В и 30 В p-канальные Gen III TrenchFET транзисторы SiSS27DN и SiS443DN в компактных корпусах PowerPAK. Оба транзистора имеют крайне низкое сопротивление открытого канала для такого класса приборов, что позволит значительно повысить эффективность, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой. Основные преимущества: сопротивление открытого канала: SiSS27DN – 5.6 мОм (-10 В) и 9 мОм (-4.5 В), SiS443DN – 11.7 мОм (-10 В) и 16 МОм (-4.5 В); компактные инновационные корпуса с высокой теплопередачей; на 100% протестированы Rg и UIS. Наименование SiSS27DN SiS443DN VDS (В) -30 -40 VGS (В) 20 20 RDS(ON) (мОм) @ 10 В 5,6 11.7 6 В 7 – 4.5 В 9 16 Корпус PowerPAK 1212-8S PowerPAK 1212-8