Семинар по продукции International Rectifier 20-го ноября 2008.
Содержание семинара
- Расширение номенклатуры высоковольтных ИС драйверов 5 поколения. Новые семейства ИС для привода, источников питания и автоэлектроники. Новые функциональные особенности и особенности устройства повышающие надежность.
- Интегральные Superback POL конверторы. Номенклатура, особенности, преимущества перед аналогами.
- Новые технологии TrenchFET. Рост показателей качества кристалла
- Новая платформа корпусов для поверхностного монтажа. Преимущества MOSFET в DirectFET 2 и PQFN корпусах. Номенклатура новых приборов.
- Новые поколения TrenchFET с эталонными характеристиками в стандартных корпусах для источников питания и низковольтного привода.
- Расширение номенклатуры Trench IGBT Gen6 для UPS , DC/AC. Планируемое поколение Gen7 600-1200B Trench IGBT для промышленных приложений и бытовой техники (привод, сварка, индукционный нагрев). Преимущества перед аналогами и предыдущим поколением.
- Революционная технологическая платформа "GaN на кремнии". Преимущества по отношению к другим технологиям, перспективные показатели качества.
Ваши отзывы Вы можете направить нам от сюда.
|